오는 10월 21일(수요일)에는 건국대학교 박배호 교수님께서 <원자층 두계 필름 위에서 그리기: 미래 소자 개발을 위한 첫걸음> 이라는 주제로 강연을 해 주시겠습니다. 아래 초록을 참고해 주세요. 

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원자층 두께 필름 위에서 그리기: 미래 소자 개발을 위한 첫걸음<?xml:namespace prefix = o />

박배호

건국대학교 물리학과

단일 원자층 그래핀은 독특한 전도 특성으로 인해 차세대 전자 소자용 신소재로 많은 관심을 받고 있다. 그래핀 기반 소자의 실현을 위해서는 그래핀에 적절한 크기의 band gap을 유도할 수 있는 방법과 나노크기의 리쏘그라피 방법이 확보되어야 한다. 나노크기의 수소화 및 산소화는 그래핀의 표면 구조를 변화시켜 band gap을 유도할 수 있는 방법인 동시에 그래핀 나노리본과 같은 나노구조를 제작할 수 있는 방법이다. 지금까지 그래핀 수소화는 대면적 화학적 변형, 나노구조 패터닝, 에칭으로 구성된 복잡한 공정을 거쳐야 했기 때문에, 수소화 그래핀 및 산소화 그래핀으로 구성된 나노크기의 소자를 형성하는 것이 쉽지 않았다.

이번 발표에서는 AFM 리쏘그라피 방법을 통해서 인가하는 외부 전압을 조절함으로써 에칭, 습식 공정, 가스 처리 등의 추가 공정 없이 상온, 상압에서 그래핀의 나노크기 영역을 수소화 혹은 산화시키는 방법을 소개하고자 한다. AFM 리쏘그라피 방법을 사용해서 인가 전압 제어만으로 그래핀의 나노크기 기능화 및 선택적 작용기 흡착을 조절할 수 있으며 이렇게 흡착된 작용기들은 적절한 열처리를 통해 대부분 제거가 가능하다. 우리는 또한 AFM 리쏘그라피 방법으로 형성한 나노크기 산화 그래핀을 기반으로 한 소자구조도 제작하고 특성을 확인했다. 자기력 현미경 측정을 통해 나노크기의 수소화 및 산화된 그래핀이 상온에서 강자성을 가질 수 있음도 확인하였다.